PTFA092201F V4 R250
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.5 dB
Output Power ::
55 W
Package / Case ::
H-37260-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
1.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance ::
0.04 Ohms at 10 V
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Inleiding
De PTFA092201F V4 R250, van Infineon Technologies, zijn RF MOSFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
Beeld | deel # | Beschrijving | |
---|---|---|---|
![]() |
Infineon Technologies RF halfgeleiders BAR 64-06W H6327 |
PIN Diodes RF DIODE
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: