NPT1012B
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
MACOM
Beschrijving:
RF JFET transistors DC-4.0GHz P1dB 43dBm Winst 13dB GaN
Categorie:
Elektronische halfgeleiders
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Maximale werktemperatuur::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Breukspanning van de poortbron::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Inleiding
De NPT1012B,van MACOM,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
MACOM Rf In halfgeleider MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF halfgeleiders 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf In halfgeleider MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm RF halfgeleiders 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: