TGF2120
Specificaties
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 12 V
Technologie::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Winst::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De TGF2120 van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: