T1G3000532-SM
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montage-stijl::
SMD/SMT
Gain ::
15.7 dB
Transistortype::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
9.1 W
Package / Case ::
QFN-32
Output Power ::
5.7 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
0.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De T1G3000532-SM,van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: