QPD1008L
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
Qorvo
Beschrijving:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Categorie:
Elektronische halfgeleiders
Specificaties
Transistor Polariteit::
N-kanaal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Winst::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Uitgangsvermogen::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De QPD1008L, van Qorvo, is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: