T1G2028536-FS
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
Qorvo
Beschrijving:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Categorie:
Elektronische halfgeleiders
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18 dB
Transistortype::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Machtsdissipatie::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 250 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De T1G2028536-FS,van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: