NE3508M04-T2-A
![kwaliteit [#varpname#] fabriek](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabrikant:
CEL
Beschrijving:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Categorie:
Elektronische halfgeleiders
Specificaties
Transistor Polariteit::
N-kanaal
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Winst::
14 dB
Transistor Type ::
HFET
Pd - Machtsdissipatie::
175 mw
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Inleiding
De NE3508M04-T2-A,van CEL,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: