TGF2080
Specificaties
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
0.41 mm x 0.34 mm x 0.1 mm
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 12 V
Id - continue afvoerstroom::
259 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De TGF2080,van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: