TGF2021-01
Specificaties
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 14 V
Technology ::
GaAs
Productcategorie::
RF JFET-transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Winst::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Package / Case ::
Die 4
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
300 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De TGF2021-01, van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: