J111,126
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
400 mW
Verpakking / doos::
Aan-92
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
40 V
Packaging ::
Ammo Pack
Id - Continuous Drain Current ::
20 mA
Vgs - Breukspanning van de poortbron::
40 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Inleiding
De J111.126Van NXP Semiconductors, is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: