T1G4012036-FS
Specificaties
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Productcategorie::
RF JFET-transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Machtsdissipatie::
117 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Verpakking::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
12 A
Manufacturer ::
Qorvo
Inleiding
De T1G4012036-FS,van Qorvo,is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: